Pikosaniye Seviyesinde Flaş Bellek Aygıtı Geliştirildi

Şanghay’daki Fudan Üniversitesi’nden araştırmacılar, pikosaniye seviyesinde bir flaş bellek aygıtı geliştirerek yarı iletken teknolojisinde bir atılım elde ettiler. Bu aygıtın 400 pikosaniye (veya 0,4 nanosaniye) gibi etkileyici bir erişim hızına sahip olduğu ifade ediliyor. Bunun saniyede 25 milyar kez çalışmaya eşdeğer olduğunun altını çizelim. Araştırma ekibi bu yeniliğe “PoX” adını veriyor ve bu artık bilinen en hızlı yarı iletken şarj depolama aygıtı olarak kabul ediliyor.

Pikosaniye Flaş Bellek Aygıtı Saniyede 25 Milyar Kez Çalışıyor

Projede önde gelen bir bilim insanı ve Entegre Çipler ve Sistemler Devlet Anahtar Laboratuvarı’nda araştırmacı olan Zhou Peng’e göre, “Bu, aygıtın göz açıp kapayıncaya kadar 1 milyar kez çalışması gibi bir şey, oysa bir U disk (USB flash sürücü) yalnızca 1.000 kez çalışabilir. Benzer teknoloji için önceki dünya rekoru 2 milyondu.” Öte yandan, karşılaştırmanın yapıldığı USB sürümünün belirtilmediğini söylemeden geçmeyelim.

Flaş bellek gibi mevcut bellekler, güç olmadan bile verileri tutabiliyor ve minimum enerji tüketiyor. Bunların veri erişim hızları statik rastgele erişim belleği (SRAM) ve dinamik rastgele erişim belleği (DRAM) gibi değişken bellek türlerinden ise daha yavaş. Değişken olmayan belleğin aksine, SRAM ve DRAM güç kesintisi olduğunda veri kaybediyor ve bu da onları düşük güç senaryoları için uygunsuz hale getiriyor.

Fudan Üniversitesi ekibi, değişken olmayan bellek teknolojisine yönelik yeni bir yaklaşım geliştirerek bu açığı kapattı. Teknoloji için iki boyutlu bir Dirac bant yapısı ve balistik taşıma özelliklerini kullanan bir cihaz fiziği mekanizması uyguladı. Araştırmacılar, iki boyutlu kanalın Gauss uzunluğunu modüle ederek kanal yükünün belleğin depolama katmanına “süper enjeksiyonu” olarak tanımladıkları şeyi başardılar.

Projedeki araştırmacılardan Liu Chunsen, “Geleneksel enjeksiyon davranışının bir hız sınırı vardır ancak süper enjeksiyonun böyle bir sınırı yoktur. İki boyutlu süper enjeksiyon mekanizması, değişken olmayan bellek hızını teorik sınırına kadar zorladı ve mevcut depolama teknolojilerinin sınırlarını yeniden tanımladı.” diye açıklıyor.

Bu atılımın, özellikle büyük yapay zeka modellerinin ultra hızlı hesaplama taleplerini desteklemede olmak üzere, birden fazla alanda önemli etkileri olması bekleniyor. Ek olarak, flash belleğin maliyet etkinliği ve ölçeklenebilirliği, onu küresel olarak teknolojik ilerlemeler ve endüstriyel uygulamalar için bir temel taşı haline getiriyor.

Zhou Peng, “Teknoloji atılımımızın yalnızca küresel depolama teknolojisi manzarasını yeniden şekillendirmesi, endüstriyel yükseltmeleri yönlendirmesi ve yeni uygulama senaryolarını teşvik etmesi değil, aynı zamanda Çin’in ilgili alanlarda liderlik etmesi için sağlam bir destek sağlaması bekleniyor.” diyor.